小蜜蜂家族 - 定制 - 广东俄罗斯专享会半导体科技股份有限公司

低功耗、低成本、瞬时启动、高安全性的非易失性可编辑逻辑器件。

俄罗斯专享会半导体GW1N系列产品是俄罗斯专享会半导体小蜜蜂^®(LittleBee^®)家族第一代产品，具有低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。

俄罗斯专享会半导体 GW1N 系列 FPGA 产品(车规级)是俄罗斯专享会半导体小蜜蜂^®(LittleBee^®)家族第一代产品，具有较丰富的逻辑资源，支持多种 I/O 电平标准，内嵌块状静态随机存储器、数字信号处理模块、锁相环资源，此外，内嵌 Flash 资源，是一款具有非易失性的 FPGA 产品，具有低功耗、瞬时启动、低成本、高安全性、产品尺寸小、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。

俄罗斯专享会半导体 GW1NR系列产品是一款系统级封装芯片，在 GW1N 基础上集成了丰富容量的 SDRAM 存储芯片，同时具有低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。

俄罗斯专享会半导体 GW1NS系列包括SoC产品（封装前带“C”的器件）和非SoC产品（封装前不带“C”的器件）。SoC产品内嵌 ARM Cortex-M3硬核处理器，而非SoC产品内部没有ARM Cortex-M3 硬核处理器。此外， GW1NS系列产品内嵌用户闪存。以 ARM Cortex-M3 硬核处理器为核心，具备了实现系统功能所需要的最小内存；内嵌的逻辑模块单元方便灵活，可实现多种外设控制功能，能提供出色的计算功能和异常系统响应中断，具有高性能、低功耗、管脚数量少、使用灵活、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富等特点。GW1NS 系列 SoC产品实现了可编程逻辑器件和嵌入式处理器的无缝连接，兼容多种外围器件标准，可大幅降低用户成本，可广泛应用于工业控制、通信、物联网、伺服驱动、消费等多个领域。

俄罗斯专享会半导体 GW1NZ系列产品是俄罗斯专享会半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一代低功耗产品，具有低功耗、低成本、瞬时启动、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点，可广泛应用于通信、工业控制、消费类、视频监控等领域。

俄罗斯专享会半导体 GW1NZ 系列 FPGA 产品(车规级)是俄罗斯专享会半导体小蜜蜂® (LittleBee®)家族第一代低功耗产品，具有低功耗、低成本、瞬时启动、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点，可广泛应用于通信、工业控制、消费类、视频监控等领域。

俄罗斯专享会半导体GW1NSR系列产品是俄罗斯专享会半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一代可编辑逻辑器件产品，是一款系统级封装芯片，内部集成了 GW1NS系列可编辑逻辑器件产品和PSRAM存储芯片。此外，GW1NSR系列产品内嵌用户闪存。

GW1NSE安全芯片产品提供嵌入式安全元件，支持基于PUF技术的信任根。每个设备在出厂时都配有一个永远不会暴露在设备外部的唯一密钥。高安全性特性使得GW1NSE适用于各种消费和工业物联网，边缘和服务器管理应用。

GW1NSER 系列安全芯片产品与 GW1NSR 系列产品具有相同的硬件组成单元，唯一的区别是在制造过程中，在 GW1NSER 系列安全芯片产品内部非易失性 User Flash 中提前存储了一次性编程（OTP）认证码。具有该认证码的器件可用于实现加密、解密、密钥/公钥生成、安全通信等应用。

俄罗斯专享会半导体 GW1NRF 系列蓝牙 FPGA 产品是一款系统级封装芯片，是一款 SoC 芯片。器件以 32 位硬核微处理器为核心，支持蓝牙 5.0 低功耗射频功能，具有丰富的逻辑单元、内嵌 B-SRAM 和 DSP 资源，IO 资源丰富，系统内部有电源管理模块和安全加密模块。具有高性能、低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。

GW1NGW1N(车规级)GW1NRGW1NSGW1NZGW1NZ(车规级)GW1NSRGW1NSE 安全芯片GW1NSER 安全芯片GW1NRF 蓝牙可编辑逻辑器件

优势

特性

低功耗

- 55nm 嵌入式闪存工艺

- LV 版本：支持 1.2V 核电压

- UV 版本：支持器件 VCC/ VCCO/ VCCx统一供电

注！GW1N-1S 仅支持 LV 版本;

- 支持时钟动态打开/关闭

用户闪存资源

（GW1N-1 和 GW1N-1S）

- 100,000次写寿命周期

- 超过10年的数据保存能力(+85℃)

- 可选的数据输入输出位宽8/16/32

- 页存储空间：256 Bytes

- 3μA旁路电流

- 页写入时间：8.2ms

用户闪存资源

（GW1N-1P5/2/4/9）

- 10,000 次写寿命周期

- 超过10年的数据保存能力(+85℃)

- 数据位宽：32

- GW1N-1/1P5/1S/2 存储容量：96K bits

- GW1N-4 存储容量：256K bits

- GW1N-9 存储容量：608K bits

- 页擦除能力：2,048 bytes

- 字编程时间：≤16μs

- 页擦除时间：≤120ms

配置闪存资源

（GW1N-1 和 GW1N-1S）

- 100,000 次写寿命周期

- 超过10年的数据保存能力(+85℃)

配置闪存资源

（GW1N-1P5/2/4/9）

- 10,000 次写寿命周期

- 超过10年的数据保存能力(+85℃)

硬核 MIPI D-PHY RX(GW1N-2)

- 支持 MIPI DSI 和 MIPI CSI-2 RX 器件接口

- CS42 封装中 IO Bank6 支持 MIPI D-PHY RX

- MIPI 传输速率单通道可达 2Gbps

- 支持最多四个数据通道和一个时钟通道

GPIO 支持 MIPI D-PHY RX/TX

- 支持 MIPI CSI-2 和 MIPI DSI，RX 和 TX 器件接口，传输速率单通道可达 1.2Gbps

- GW1N-1S 器件的 Bank0/Bank1 支持 MIPI IO 输入

- GW1N-2/GW1N-1P5 器件的 Bank0/Bank3/Bank4/Bank5 支持 MIPI IO 输出(支持动态 ODT)

- GW1N-2/GW1N-1P5 器件的 Bank2 支持 MIPI IO 输入(支持动态ODT)

- GW1N-9 器件 Bank0 支持 MIPI IO 输入(支持动态 ODT)

- GW1N-9 器件 Bottom 层支持 MIPI IO 输出

- GW1N-9 器件 Top 层和 Bottom 层 I/O 支持 I3C

支持多种I/O电平标准

- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I，SSTL33/25/18 II，SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I； PCI，LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE，MLVDSE，LVPECLE，RSDSE

- 提供输入信号迟滞选项

- 支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

- 提供输出信号驱动电流选项

- 对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

- 支持热插拔

高性能DSP模块(GW1N-4/9)

- 高性能数字信号处理能力

- 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

- 支持多个乘法器级联

- 支持寄存器流水线和旁路功能

- 预加运算实现滤波器功能

- 支持桶形移位寄存器

丰富的基本逻辑单元

- 4输入LUT(LUT4)

- 支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式

- 支持字节写使能

灵活的PLL资源

- 实现时钟的倍频、分频和相移

- 全局时钟网络资源

内置Flash编程

- 瞬时启动

- 支持安全位操作

- 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式

编程配置模式

- 支持JTAG配置模式

- 支持背景升级

- 支持多达7种GowinCONFIG配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT、I2C Slave

优势	特性
用户闪存资源（GW1N-2/4）	- 10,000 次写寿命周期 - 超过 10 年的数据保存能力(+85℃) - 数据位宽：32 - 行存储容量：256-Byte - 页擦除能力：2,048-Byte - 字编程时间：≤16μs - 页擦除时间：≤120ms
低功耗	- 55nm 嵌入式闪存工艺 - LV 版本：支持 1.2V 核电压 - 支持时钟动态打开/关闭
支持多种I/O电平标准	- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，SSTL15；HSTL18 I ，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI，LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - 提供输入信号迟滞选项 - 支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项 - 支持热插拔
高性能DSP模块	- 高性能数字信号处理能力 - 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器 - 支持多个乘法器级联 - 支持寄存器流水线和旁路功能 - 预加运算实现滤波器功能 - 支持桶形移位寄存器
丰富的基本逻辑单元	- 4输入LUT(LUT4) - 支持移位寄存器和分布式存储器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能
灵活的PLL资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
内置Flash编程	- 瞬时启动 - 支持安全位操作 - 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式
编程配置模式	- 支持JTAG配置模式 - 支持背景升级 - 支持多达7种GowinCONFIG配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT、I2C Slave

优势

特性

低功耗

- 55nm 嵌入式闪存工艺

- LV 版本：支持 1.2V 核电压

- UV 版本：内置线性稳压单元，支持 2.5V/3.3V 供电电压

- 支持时钟动态打开/关闭

用户闪存资源

（GW1NR-1）

- 100,000 次写寿命周期

- 超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

- 可选的数据输入输出位宽 8/16/32

- 页存储空间：256-Byte

- 3μA 旁路电流

- 页写入时间：8.2ms

用户闪存资源

（GW1NR-2/4/9）

- 10,000 次写寿命周期

- 超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

- 数据位宽 32

- GW1NR-2 行存储容量：96K bits

- GW1NR-4 行存储容量：256K bits

- GW1NR-9 行存储容量：608K bits

- 页擦除能力：2,048 bytes

- 字编程时间：≤16μs

- 页擦除时间：≤120ms

配置闪存资源

（GW1NR-1）

- 100,000 次写寿命周期

- 超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

配置闪存资源

（GW1NR-2/4/9）

- 10,000 次写寿命周期

- 超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

集成 SDRAM/ PSRAM/ NOR FLASH 存储芯片

硬核 MIPI D-PHY RX(GW1NR-2)

- 支持 MIPI DSI 和 MIPI CSI-2 RX 器件接口

- IO Bank6 支持 MIPI D-PHY RX

- MIPI 传输速率可达 2Gbps

- 支持最多四个数据通道和一个时钟通道

多功能高速 FPGA IO 支持 MIPI D-PHY RX/TX(GW1NR-2)

- 支持 MIPI CSI-2 和 DSI，RX 和 TX 器件接口，传输速率可达 1.5Gbps

- IO Bank0、IO Bank3、IO Bank4、IO Bank5 支持 MIPI D-PHY TX

- IO Bank2 支持 MIPI D-PHY RX

支持多种 I/O 电平标准

- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，
SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI， LVDS25，RSDS，LVDS25E，
BLVDSE MLVDSE， LVPECLE，RSDSE

- 提供输入信号迟滞选项

- 支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

- 提供输出信号驱动电流选项

- 对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

- 支持热插拔

- GW1NR-9 器件 BANK0 支持 MIPI I/O 输入，MIPI 传输速率可达1.2Gbps

- GGW1NR-9 器件 BANK2 支持 MIPI I/O 输出，MIPI 传输速率可达1.2Gbps

- GW1NR-9 器件 BANK0 和 BANK2 支持 I3C OpenDrain/PushPull转换

高性能DSP模块

- 高性能数字信号处理能力

- 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

- 支持多个乘法器级联

- 支持寄存器流水线和旁路功能

- 预加运算实现滤波器功能

- 支持桶形移位寄存器

丰富的基本逻辑单元

- 4输入LUT(LUT4)

- 支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式

- 支持字节写使能

灵活的PLL资源

- 实现时钟的倍频、分频和相移

- 全局时钟网络资源

内置Flash编程

- 瞬时启动

- 支持安全位操作

- 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式

编程配置模式

- 支持JTAG配置模式

- 支持多达6种GowinCONFIG配置模式：

AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

优势	特性
低功耗	- 55nm 嵌入式闪存工艺 - 核电压：1.2V - 支持 LV 版本 - 支持时钟动态打开/关闭
硬核微处理器	- Cortex-M3 32-bit RISC 内核 - ARM3v7M 架构，针对小封装嵌入式应用方案进行了优化 - 系统定时器，提供了一个简单的 24 位写清零、递减、自装载计数器，具有灵活的控制机制 - Thumb 兼容，Thumb-2 指令集处理器可以获取更高的代码密度 - 最高 80MHz 的工作频率 - 硬件除法和单周期乘法 - 集成 NVIC，提供确定性中断处理 - 26 个中断，具有 8 个优先级 - 内存保护单元，提供特权模式来保护操作系统的功能 - 非对齐数据访问，数据能够更高效的装入内存 - Bit-banding，精确的位操作，最大限度的利用了存储空间，改善了对外设的控制 - Timer0 和 Timer1 - UART0 和 UART1 - watchdog - 调试端口：JTAG 和TPIU
用户闪存资源	- 32K Byte 存储空间 - 32-bit 数据位宽
支持多种 I/O 电平标准	- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI， LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE - MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - 提供输入信号迟滞选项 - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个 I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项 - 支持热插拔 - BANK0 支持 MIPI 输入 - BANK2 支持 MIPI 输出 - BANK0 和 BANK2 支持 I3C
丰富的基本逻辑单元	- 4 输入 LUT(LUT4) - 支持移位寄存器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式
灵活的 PLL 资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
内置 Flash 编程	- 瞬时启动 - 支持安全位操作 - 支持 AUTO BOOT 和DUAL BOOT 编程模式
编程配置模式	- 支持 JTAG 配置模式 - 支持片内 DUAL BOOT 配置模式 - 支持多种 GowinCONFIG 配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

优势	特性
零功耗	- 55nm 嵌入式闪存工艺 - LV 版本：支持 1.2V 核电压 - ZV 版本：支持 0.9V 核电压 - 支持时钟动态打开/关闭 - 支持动态打开/关闭用户闪存
电源管理模块（GW1NZ-1）	- SPMI：系统电源管理接口 - 器件内部 VCC 和 VCCM 各自独立
用户闪存资源（GW1NZ-1）	- NOR Flash - 支持动态打开或关闭 - 存储容量：64K bits - 数据位宽：32 - 10,000 次写寿命周期 - 超过 10 年的数据保存能力(+85℃) - 支持页擦除：一页 2048 字节 - 读时间：最大 25ns - 电流读操作： 2.19mA/25ns (VCC) & 0.5mA/25ns (VCCX) (Max) 写操作/擦除操作：12/12mA (Max) - 快速页擦除/写操作 - 时钟频率：40MHz - 字写操作时间：≤16μs - 页擦除时间：≤120ms
用户闪存资源（GW1NZ-2）	- 10,000 次写寿命周期 - 超过 10 年的数据保存能力(+85℃) - 数据位宽：32 - 存储容量：96K bits - 页擦除能力：2,048-Byte - 字写操作时间：≤16μs - 页擦除时间：≤120ms
配置闪存资源（GW1NZ-1）	- NOR Flash - 10,000 次写寿命周期 - 超过 10 年的数据保存能力(+85℃)
配置闪存资源（GW1NZ-2）	- NOR Flash - 10,000 次写寿命周期 - 超过 10 年的数据保存能力(+85℃)
MIPI D-PHY RX 硬核（GW1NZ-2）	- 支持 MIPI CSI-2 和 DSI，RX 器件接口 - IO Bank6 支持 MIPI D-PHY RX - MIPI 传输速率单通道可达 2Gbps - 支持最多四个数据通道和一个时钟通道
GPIO 支持以 MIPI IO 模式实现 MIPI D-PHY RX/TX（GW1NZ-2）	- 支持 MIPI CSI-2 和 DSI，RX 和 TX 器件接口 - IO Bank0、IO Bank3、IO Bank4、IO Bank5 支持 MIPI D-PHY TX，传输单通道速率可达 1.2Gbps - IO Bank2 支持 MIPI D-PHY RX，传输速率单通道可达 1.2Gbps
支持多种 I/O 电平标准	- GW1NZ-1：LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33， PCI， LVDS25E，BLVDSE，MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - GW1NZ-2：LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI， LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE，MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - 提供输入信号迟滞选项 - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个 I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain 输出选项 - 支持热插拔 - I3C 硬核，支持 SDR 模式 - 只支持差分输出，不支持差分输入
丰富的基本逻辑单元	- 4输入LUT(LUT4) - 支持移位寄存器和分布式存储器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式
灵活的PLL资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
内置Flash编程	- 瞬时启动 - 支持安全位操作 - 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式
编程配置模式	- 支持JTAG配置模式 - 支持多达6种GowinCONFIG配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

优势	特性
零功耗	- 55nm 嵌入式闪存工艺 - LV 版本：支持 1.2V 核电压 - 支持时钟动态打开/关闭 - 支持动态打开/关闭用户闪存
电源管理模块（GW1NZ-1）	- SPMI：系统电源管理接口 - 器件内部 VCC 和 VCCM 各自独立
用户闪存资源（GW1NZ-1）	- 支持动态打开或关闭 - 64K bits - 数据位宽：32 - 10,000 次写寿命周期 - 超过 10 年的数据保存能力(+85℃) - 支持页擦除：一页 2048 字节 - 读时间：最大 25ns - 电流读操作： 2.19mA/25ns (V_CC) & 0.5mA/25ns (V_CCX) (Max) 写操作/擦除操作：12/12mA (Max) - 快速页擦除/写操作 - 时钟频率：40MHz - 字写操作时间：≤16μs - 页擦除时间：≤120ms
支持多种 I/O 电平标准	- GW1NZ-1：LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33， PCI， LVDS25E，BLVDSE，MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - 提供输入信号迟滞选项 - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个 I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain 输出选项 - 支持热插拔 - I3C 硬核，支持 SDR 模式 - 只支持差分输出，不支持差分输入
丰富的基本逻辑单元	- 4输入LUT(LUT4) - 支持移位寄存器 - 分布式存储器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - 支持字节写使能
灵活的PLL资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
内置Flash编程	- 瞬时启动 - 支持安全位操作 - 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式
编程配置模式	- 支持JTAG配置模式 - 支持多达6种GowinCONFIG配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

优势	特性
低功耗	- 55nm 嵌入式闪存工艺 - 核电压：1.2V - 支持 LV 版本 - 支持时钟动态打开/关闭
集成 PSRAM 系统级封装芯片
硬核微处理器	- Cortex-M3 32-bit RISC 内核 - ARM3v7M 架构，针对小封装嵌入式应用方案进行了优化 - 系统定时器，提供了一个简单的 24 位写清零、递减、自装载计数器，具有灵活的控制机制 - Thumb 兼容，Thumb-2 指令集处理器可以获取更高的代码密度 - 最高 80MHz 的工作频率 - 硬件除法和单周期乘法 - 集成 NVIC，提供确定性中断处理 - 26 个中断，具有 8 个优先级 - 内存保护单元，提供特权模式来保护操作系统的功能 - 非对齐数据访问，数据能够更高效的装入内存 - Bit-banding，精确的位操作，最大限度的利用了存储空间，改善了对外设的控制 - UART0 和 UART1 - watchdog - 调试端口：JTAG 和 TPIU
用户闪存资源	- 32K Byte 存储空间 - 32-bit 数据位宽
支持多种 I/O 电平标准	- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I，SSTL33/25/18 II， SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI，LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE - MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - 提供输入信号迟滞选项 - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项 - 支持热插拔 - BANK0 支持 MIPI 输入 - BANK2 支持 MIPI 输出 - BANK0 和 BANK2 支持 I3C
丰富的基本逻辑单元	- 4 输入 LUT(LUT4) - 支持移位寄存器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式
灵活的 PLL 资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
内置 Flash 编程	- 瞬时启动 - 支持安全位操作 - 支持 AUTO BOOT 和 DUAL BOOT 编程模式
编程配置模式	- 支持 JTAG 配置模式 - 支持片内 DUAL BOOT 配置模式 - 支持多种 GowinCONFIG 配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

俄罗斯专享会安全芯片产品提供了一个基于物理不可克隆功能（PUF）技术的硬件安全根。SRAM Based PUF使用RAM设备的上电行为来区分芯片。它们几乎不可能被复制、克隆或预测，适用于安全密钥的生成和存储、设备身份验证、安全启动、数据加密和芯片资产管理等应用。SRAM PUF技术已被用于安全保护超过1亿台设备。

●SRAM Based PUF

△无需私钥存储

△上电时设备密钥恢复

●芯片出厂时即可提供

△Activation, UUID, 证书

●低成本，小封装

△2.5 x 2.5 mm²

小蜜蜂家族

内置ID Broadkey Pro安全库配有Gowin 安全芯片设备，可以轻松地将常见的安全功能集成到用户应用程序中。这些功能允许用户创建唯一的设备标识符，为安全引导生成/验证签名，并加密/解密数据。

● 器件唯一的密钥

● 随机数生成

● 椭圆曲线私钥生成和存储

● 导入导出公钥

● 签名生成和验证

● 密钥协议功能

● 公钥加密和解密

优势	特性
低功耗	- 55nm 嵌入式闪存工艺 - 核电压：1.2V - 支持 LV 版本 - 支持时钟动态打开/关闭
集成 HyperRAM 存储芯片
集成 NOR FLASH 存储芯片
硬核微处理器	- Cortex-M3 32-bit RISC 内核 - ARM3v7M 架构，针对小封装嵌入式应用方案进行了优化 - 系统定时器，提供了一个简单的 24 位写清零、递减、自装载计数器，具有灵活的控制机制 - Thumb 兼容，Thumb-2 指令集处理器可以获取更高的代码密度 - 最高 80MHz 的工作频率 - 硬件除法和单周期乘法 - 集成 NVIC，提供确定性中断处理 - 26 个中断，具有 8 个优先级 - 内存保护单元，提供特权模式来保护操作系统的功能 - 非对齐数据访问，数据能够更高效的装入内存 - Bit-banding，精确的位操作，最大限度的利用了存储空间，改善了对外设的控制 - Timer0 和 Timer1 - UART0 和 UART1 - watchdog - 调试端口：JTAG 和 TPIU
提供 OTP 认证码
用户闪存资源	- 256Kb 存储空间 - 32-bit 数据位宽
支持多种 I/O 电平标准	- LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，SSTL15； HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI， LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE - MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - 提供输入信号迟滞选项 - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项 - 支持热插拔 - 支持 MIPI 接口 - 支持 I3C
丰富的基本逻辑单元	- 4 输入 LUT(LUT4) - 支持移位寄存器
支持多种模式的静态随机存储器	- 支持双端口、单端口以及伪双端口模式
灵活的 PLL 资源	- 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源
内置 Flash 编程	- 瞬时启动 - 支持安全位操作 - 支持 AUTO BOOT 和 DUAL BOOT 编程模式
编程配置模式	- 支持 JTAG 配置模式 - 支持多种 GowinCONFIG 配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、 CPU、SERIAL

GW1NRF系列蓝牙可编辑逻辑器件产品高性能、低功耗，集成32bits低功耗 MCU，功耗低至5nA的电源管理单元，及低功耗蓝牙5.0技术。通过集成具有灵活I/O和异构计算能力的可编辑逻辑器件，进一步拓展了蓝牙设备的灵活性。

● 集成低功耗蓝牙5.0技术

● 内嵌32bits低功耗ARC处理器

△ 136kB ROM

△ 128kB OTP for power efficiency ：128KB OTP

△ 48kB IRAM and 28kB DRAM

● 电源管理单元

△ 芯片不使能时电流5nA¹

△ 休眠模式时电流1.0uA¹

△ 处理器和可编辑逻辑器件同时工作时电流<5mA

● 安全特性

△ TRNG

△ AES-128硬核加密

△ ECC-P256密钥生成器

注1：不包括外部调节器在待机状态下的漏电流

器件	GW1N- 1	GW1N- 2	GW1N- 4	GW1N- 9	GW1N- 1S	GW1N-1P5
逻辑单元(LUT)	1152	2304	4608	8640	1152	1584
寄存器(FF)	864	2016	3456	6480	864	1584
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	0	18432	0	17280	0	12672
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	72K	72K	180K	468K	72K	72K
块状静态随机存储器数目 B-SRAM(个)	4	4	10	26	4	4
用户闪存- bits	96K	96K	256K	608K	96K	96K
乘法器(18x18 Multiplier)	0	0	16	20	0	0
锁相环(PLLs)	1	1	2	2	1	1
I/O Bank 总数	4	6^注 2	4	4	3	6
最多用户 I/O	120	125	218	276	44	125
核电压（LV 版本）	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V
核电压（UV 版本）	1.8V/2.5V/3.3V ^注1	1.8V/2.5V/3.3V	2.5V/3.3V ^注6	2.5V/3.3V ^注6	-	1.8V/2.5V/3.3V

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1N- 1	GW1N- 2	GW1N- 4	GW1N- 9	GW1N- 1S	GW1N-1P5
CS30	0.4	2.3x2.4	24	-	-	-	23	-
QN32	0.5	5x5	26	21(1)	24(3)	-	-	-
QN32X	0.5	5x5	-	21(1)	-	-	-	-
FN32	0.4	4x4	-	-	-	-	25	-
CS42	0.4	2.4x2.9	-	24(7)	-	-	-	-
CS42H	0.4	2.4x2.9	-	36(3)	-	-	-	-
QN48	0.4	6x6	41	40(12)	40(9)	40(12)	-	-
QN48H	0.4	6x6	-	30(8)	-	-	-	-
QN48F	0.4	6x6	-	-	-	39(11)	-	-
QN48X	0.5	7x7	-	-	-	-	-	39(10)
QN48XF	0.5	7x7	-	-	-	-	-	40(11)
CM64	0.5	4.1x4.1	-	-	-	55(16)注 3	-	-
CS72	0.4	3.6x3.3	-	-	57(19)	-	-	-
CS81M	0.4	4.1x4.1	-	-	-	55(15)	-	-
QN88	0.4	10x10	-	57(17)	70(11)	70(19)	-	-
CS100H	0.4	4x4	-	88(27)	-	-	-	-
LQ100	0.5	14x14	79	80(15)	79(13)	79(20)	-	80(16)
LQ100X	0.5	14x14	-	80(15)	-	-	-	80(16)
LQ144	0.5	20x20	116	113(28)	119(22)	120(28)	-	-
LQ144X	0.5	20x20	-	113(28)	-	-	-	-
LQ144F	0.5	20x20	-	115(27)	-	-	-	-
EQ144	0.5	20x20	-	-	-	120(28)	-	-
MG49	0.5	3.8x3.8	-	42(11)	-	-	-	-
MG100	0.5	5x5	-	-	-	87(25)	-	-
MG100T	0.5	5x5	-	-	-	87(17)	-	-
MG121	0.5	6x6	-	100(28)	-	-	-	-
MG121X	0.5	6x6	-	100(28)	-	-	-	-
MG132	0.5	8x8	-	104(29)	-	-	-	-
MG132H	0.5	8x8	-	94(29)	-	-	-	-
MG132X	0.5	8x8	-	104(29)	105(23)	-	-	-
MG160	0.5	8x8	-	-	131(25)	131(38)	-	-
UG169	0.8	11x11	-	-	129(27)	129(38)	-	-
LQ176	0.4	20x20	-	-	-	147(37)	-	-
EQ176	0.4	20x20	-	-	-	147(37)	-	-
MG196	0.5	8x8	-	-	-	113(35)	-	-
PG256	1.0	17x17	-	-	207(32)	207(36)	-	-
PG256M	1.0	17x17	-	-	207(32)	-	-	-
UG256	0.8	14x14	-	-	-	207(36)	-	-
UG332	0.8	17x17	-	-	-	273(43)	-	-

器件	GW1N-2（车规级）	GW1N-4（车规级）	GW1N-9（车规级）
逻辑单元(LUT4)	2304	4608	8640
寄存器	2016	3456	6480
分布式静态随机存储器SSRAM(bits)	18432	0	17280
块状静态随机存储器BSRAM(bits)	72K	180K	468K
块状静态随机存储器数目BSRAM(个)	4	10	26
用户闪存(bits)	96K	256K	608K
乘法器(18 x 18 Multiplier)	0	16	20
锁相环(PLLs)	1	2	2
I/O Bank总数	6	4	4
最大I/O数	125	218	276
核电压（LV版本）	1.2V	1.2V	1.2V

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1N-2（车规级）	GW1N-4（车规级）	GW1N-9（车规级）
QN88	0.4	10 x 10	57（17）	70（11）	-
QN60	0.35	6 x 6	-	-	44(14)

器件	GW1NZ-1	GW1NZ-2
逻辑单元(LUT4)	1152	2304
寄存器(FF)	864	2016
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	4K	18432
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	72K	72K
锁相环(PLLs)	1	1
用户闪存-bits	64K	96K
最大I/O数	48	125
核电压(LV版本)	1.2V	-
核电压(ZV版本)	0.9V	0.9V/1.0V/1.1V

器件	GW1NZ-1( 车规级)
逻辑单元(LUT4)	1152
寄存器	864
分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)	4K
块状静态随机存储器BSRAM(bits)	72K
锁相环(PLLs)	1
用户闪存(bits)	64K
最大I/O数	48
核电压（LV版本）	1.2V

器件	GW1NR- 1	GW1NR- 2	GW1NR- 4	GW1NR- 9
逻辑单元(LUT)	1,152	2,304	4,608	8,640
寄存器(FF)	864	2,304 (FF +Latch, 其中FF：2016)	3,456	6,480
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	0	0	0	17,280
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	72K	72K	180K	468K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	4	4	10	26
用户闪存- bits	96K	96K	256K	608K
SDR SDRAM (bits)	-	-	64M	64M
PSRAM(bits)	-	64M(MG49P) 32M(MG49PG)	32M(QN88P) 64M(MG81P)	64M (QN88P/LQ144P/MG100PT/MG100PS) 128M(MG100P/MG100PF/mg100pa)
NOR FLASH (bits)	4M	4M (MG49G/MG49PG)	-	-
乘法器(18x18 Multiplier)	0	0	16	20
锁相环(PLLs)	1	1	2	2
I/O Bank 总数	4	7	4	4
最大I/O数	120	126	218	276
核电压（LV 版本）	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V
核电压（UV 版本）	-	1.8V/2.5/3.3V	2.5/3.3V	2.5/3.3V

封装	器件	Memory类型	容量	位宽
QN88	GW1NR-4	SDR SDRAM	64M	16 bits
QN88	GW1NR-9	SDR SDRAM	64M	16 bits
QN88P	GW1NR-4	PSRAM	32M	8 bits
QN88P	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
MG81P	GW1NR-4	PSRAM	64M	16 bits
MG100P	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PF	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PA	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PT	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
MG100PS	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
LQ144P	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
FN32G EQ144G QN32X QN48X LQ100G	GW1NR-1	NOR FLASH	4M	1 bit
MG49P	GW1NR-2	PSRAM	64M	16 bits
MG49G	GW1NR-2	NOR FLASH	4M	1 bit
MG49PG	GW1NR-2	PSRAM	32M	8 bits
MG49PG	GW1NR-2	NOR FLASH	4M	1 bit

器件	GW1NS- 4	GW1NS- 4C
逻辑单元(LUT4)	4,608	4,608
寄存器(FF)	3,456	3,456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	10	10
乘法器(18 x 18 Multiplier)	16	16
用户闪存- bits	256K	256K
锁相环(PLLs)	2	2
OSC	1，精度 ±5%	1，精度 ±5%
硬核处理器	-	Cortex- M3
I/O Bank 总数	4	4
最多用户 I/O	106	106
核电压	1.2V	1.2V

器件	GW1NSR- 4	GW1NSR- 4C
逻辑单元(LUT4)	4,608	4,608
寄存器(FF)	3,456	3,456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	10	10
乘法器(18 x 18 Multiplier)	16	16
用户闪存- bits	256K	256K
PSRAM(bits)	64M	64M
HyperRAM(bits)	-	64M
NOR FLASH (bits)	-	32M
锁相环(PLLs)	2	2
OSC	1，精度 ±5%	1，精度 ±5%
硬核处理器	-	Cortex- M3
I/O Bank 总数	4	4
最多用户 I/O	106	106
核电压	1.2V	1.2V

器件	封装	Memory 类型	容量	位宽
GW1NSR-4	MG64P	PSRAM	64Mb	16 bits
GW1NSR- 4C	MG64P	PSRAM	64Mb	16 bits
	QN48P	HyperRAM	64MB	8 bits
	QN48G	NOR FLASH	32Mb	1 bit

器件	GW1NSE- 4C
逻辑单元(LUT4)	4,608
寄存器(FF)	3,456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器数目 B-SRAM(个)	10
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	0
用户闪存(bits)	256
18X18乘法器	16
锁相环(PLLs)	2
OSC	1,+/-5% accuracy
硬核处理器	Cortex- M3
I/O Banks	3
核电压	1.2V
最多用户 I/O	106

器件	GW1NSER- 4C
逻辑单元(LUT)	4,608
寄存器(FF)	3,456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	10
用户闪存- bits	256K
HyperRAM(bits)	64M
NOR FLASH (bits)	32M
乘法器(18x18 Multiplier)	16
锁相环(PLLs)	2
I/O Bank 总数	4
最多用户 I/O	106
OSC	1，精度 ±5%
硬核处理器	Cortex- M3
核电压	1.2V

器件	GW1NRF-4B
逻辑单元(LUT4)	4606
寄存器(FF)	3456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM（个）	10
用户闪存-bits	256K
18X18乘法器	16
PLLs	2
I/O Bank总数	4
最大I/O数	25
硬核处理器	ARC EM4
内存模块	136KB ROM 48KB IRAM 28KB DRAM 128KB OTP
射频模块	蓝牙 5.0 低功耗
安全加密模块	AES 硬核加密 TRNG 密钥生成器
低功耗模块	电源管理模块 DCDC 转换器
核电压（LV）	1.2V
核电压（UV）	1.8V/2.5V/3.3V